1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN8533RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 2EDN8533RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7136UXTSA1 2EDN8533RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
מארז TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family convention) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Driver Configuration — Low-side, dual independent channels
Peak Source/Sink Current — 5 A per channel
Number of Channels — 2
Input Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance (absolute max) — -12 V to +22 V
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Output Resistance — Low (per datasheet; see SG figure)
Propagation Delay — Matched between channels (excellent timing accuracy)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר