1EDN7511B vs 1EDN8511BXUSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511B بواسطة Infineon و 1EDN8511BXUSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7511B | 1EDN8511BXUSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Single-channel low-side gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 8 A |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| UVLO Threshold (logic-level variant) | 1.9 V to 2.3 V | — |
| UVLO Threshold (normal-level variant) | 800 mV to 1.2 V (typ) | — |
| Propagation Delay | 4.5 ns (typ) | — |
| Rise Time (typ) | 19 ns | — |
| Fall Time (typ) | 19 ns | — |
| Output On-Resistance (pull-up) | 0.85 ohm | — |
| Output On-Resistance (pull-down) | 0.35 ohm | — |
| Input Logic | Inverting + Non-inverting | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +150 C | — |
| العلبة | SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) | PG-SOT23-6-2 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Supported Switches | MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT | — |
| Channel Count | — | 1 |
| Driver Configuration | — | Low-side |
| Input Stage | — | Inverting and non-inverting |
| Propagation Delay Accuracy | — | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] |
| UVLO Threshold | — | 8 V |
| Driver Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 °C to +150 °C |
| عدد الأطراف | — | 6 |
| Logic Input Compatibility | — | TTL / CMOS |
| Target Switch Type | — | Power MOSFET, GaN HEMT |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |