1EDN7511B vs 1EDN8511BXUSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7511B بذریعہ Infineon اور 1EDN8511BXUSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7511B 1EDN8511BXUSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type Single-channel low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
UVLO Threshold (logic-level variant) 1.9 V to 2.3 V —
UVLO Threshold (normal-level variant) 800 mV to 1.2 V (typ) —
Propagation Delay 4.5 ns (typ) —
Rise Time (typ) 19 ns —
Fall Time (typ) 19 ns —
Output On-Resistance (pull-up) 0.85 ohm —
Output On-Resistance (pull-down) 0.35 ohm —
Input Logic Inverting + Non-inverting —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +150 C —
پیکیج SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) PG-SOT23-6-2
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Supported Switches MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT —
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 °C to +150 °C
پن کی تعداد — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں