1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7550BXTSA1 بواسطة Infineon و 2ED2108S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
عدد المخارج — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر