1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7550BXTSA1 מאת Infineon ו 2ED2108S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
מארז PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
מספר יציאות — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר