1N6263 vs 1N5711 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1N6263 بواسطة STMicroelectronics و 1N5711 بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1N6263 1N5711
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Diode Type Small Signal Schottky (metal-to-silicon junction) Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 60 V —
Average Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 400 mW 430 mW
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage] 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: reverse leakage current] —
Junction Capacitance [DATA_NEEDED: junction capacitance] —
Reverse Recovery Time Ultrafast (no stored charge, barrier-limited) —
Surge Current Rating (IFSM) [DATA_NEEDED: surge current] —
Technology Guard-ring Schottky barrier —
Application Focus UHF/VHF detection, pulse applications, broad dynamic range —
العلبة DO-35 (axial, through-hole glass) DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
نوع التركيب Through Hole Through-Hole
Number of Elements 1 —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Peak Reverse Voltage (VRRM) — 70 V
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Total Capacitance — 2 pF
Junction Capacitance (Cj) — 1 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر