2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDB7259KXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2103S06FXUMA1 2EDB7259KXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) Coreless Transformer Isolation
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 13-LGA (5x5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 2
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
جهد التغذية — 12 V to 18 V
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر