2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDB7259KXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2103S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2EDB7259KXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDB7259KXUMA1 2EDB7259KXUMA1 - Dual 5A/9A Isolated Gate Driver 13-LGA | Infineon

2EDB7259KXUMA1 - Dual 5A/9A Isolated Gate Driver 13-LGA | Infineon

2EDB7259KXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2103S06FXUMA1 2EDB7259KXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) Coreless Transformer Isolation
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 13-LGA (5x5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Isolated Gate Driver IC
Number of Channels — 2
Source Drive Current — 5 A
Sink Drive Current — 9 A
Isolation Voltage — 2500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay — 38 ns
सप्लाई वोल्टेज — 12 V to 18 V
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
Protection Features — UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp
Output Stage — Rail-to-rail p-channel sourcing

डेटाशीट और संसाधन

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