2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
عدد المخارج 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
عدد الدبابيس 8 —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
نوع الخرج Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
تكوين الخرج — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر