2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2ED2106S06FXUMA1 bằng Infineon và 2EDL6014ACG2DXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Số lượng đầu ra 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Số lượng chân 8 —
Hộp PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Kiểu đầu ra Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Cấu hình đầu ra — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá