2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2EDL6014ACG2DXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2106S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
आउटपुट की संख्या 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
पिन की संख्या 8 —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
आउटपुट प्रकार Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

डेटाशीट और संसाधन

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