2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL6014ACG2DXTMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
تكوين الخرج Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
العلبة 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (DSO-8)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر