2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL6014ACG2DXTMA1 מאת Infineon ו 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL6014ACG2DXTMA1 1ED3124MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
תצורת מוצא Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (DSO-8)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר