2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL900G3XTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL900G3XTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A 4 A
Peak Sink Current 4 A 6 A
عدد المخارج 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction isolation (JI), 120 V
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +125 C —
العلبة PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر