2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8034G4CXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL900G3XTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL900G3XTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A 4 A
Peak Sink Current 4 A 6 A
מספר יציאות 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction isolation (JI), 120 V
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר