2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2EDL8034G4CXTMA1 bằng Infineon và 2EDL900G3XTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2EDL900G3XTMA1 2EDL900G3XTMA1 - 120V Dual Half-Bridge Gate Driver 4A/6A | Infineon

2EDL900G3XTMA1 - 120V Dual Half-Bridge Gate Driver 4A/6A | Infineon

2EDL900G3XTMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL900G3XTMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A 4 A
Peak Sink Current 4 A 6 A
Số lượng đầu ra 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) Junction isolation (JI), 120 V
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40 C to +125 C —
Hộp PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá