2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL900G3XTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL5023U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDL900G3XTMA1 | 2EDL5023U2DXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Dual-channel level-shift gate driver IC | — |
| Topology Supported | Half-bridge, high-side, low-side | — |
| Isolation Type | Junction isolation (JI), 120 V | — |
| Number of Channels | 2 (high-side + low-side) | 1 (Half-Bridge) |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 6 A | — |
| Drive Output Voltage Range | 4 V to 16 V | — |
| Supply Voltage (VDD/VBS) | 4 V to 16 V | — |
| Switching Device Supported | Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET | — |
| Configurable Deadtime | Yes (programmable) | — |
| Integrated Current Sense Amplifier | Yes | — |
| PWM Modes | Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) | — |
| العلبة | TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad | PG-TSNP-12-5 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) |
| Driver Type | — | Non-Inverting |
| عدد المخارج | — | 2 |
| Bootstrap Voltage Rating | — | 120 V |
| Peak Gate Drive Current | — | 3 A (typical sink/source) |
| Input Logic | — | TTL-compatible |
| Input Voltage (VDD) | — | 5 V (gate drive supply) |
| Enable Pin (EN) | — | Active-High (logic high or left open enables) |
| PWM Inputs | — | HI (high-side), LI (low-side) |
| Ground Return | — | VSS |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C (typical industrial range) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes |