2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL900G3XTMA1 توسط Infineon و 2EDL5023U2DXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL900G3XTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 1 (Half-Bridge)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
بسته‌بندی TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-TSNP-12-5
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
تعداد خروجی‌ها — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
دمای کاری — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت