2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL900G3XTMA1 מאת Infineon ו 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL900G3XTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 1 (Half-Bridge)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
מארז TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-TSNP-12-5
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
מספר יציאות — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר