2EDN8534FXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN8534FXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7524GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN8534FXTMA1 2EDN7524GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Dual Low-Side Gate Driver —
Number of Channels 2 2 (dual)
تكوين الخرج Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay (Typ) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Match 1 ns (typ) —
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) -10 V to +20 V on logic pins
Active Miller Clamp Yes (internal) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8 (DSO-8) PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Family EiceDRIVER 2EDN —
Product Type — Low-side gate driver IC
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
زمن الصعود — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
زمن السقوط — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر