2EDN8534FXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDN8534FXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDN7524GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon
2EDN7524GXTMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | 2EDN8534FXTMA1 | 2EDN7524GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Type | Dual Low-Side Gate Driver | — |
| Number of Channels | 2 | 2 (dual) |
| Çıkış Konfigürasyonu | Non-Inverting | — |
| Peak Source/Sink Current | 5 A / 5 A | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] |
| Propagation Delay (Typ) | 19 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Match | 1 ns (typ) | — |
| Input Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V (absolute max) | -10 V to +20 V on logic pins |
| Active Miller Clamp | Yes (internal) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 C to +125 C | — |
| Paket | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Family | EiceDRIVER 2EDN | — |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Drive Current (Source/Sink) | — | 5 A peak |
| Input Logic | — | Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible |
| Propagation Delay | — | 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1 ns |
| Artış Süresi | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Düşüş Süresi | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Output Stage | — | Rail-to-rail, separate source/sink |
| UVLO Protection | — | Yes |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Target Devices | — | Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs |