2N7002L vs MMBF170LT1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002L بواسطة onsemi و MMBF170LT1 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2N7002L | MMBF170LT1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 115 mA (Ta) | 500 mA (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 7.5 ohm max at VGS = 5V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 V to 2.5 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 mW (Ta), 225 mW max | — |
| Technology | High cell density trench MOSFET | DMOS |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة | SOT-23 (SOT-23-3) | — |
| Configuration | Single FET | — |
| Switching Performance | Fast switching, rugged and reliable | — |
| Gate Drive | 5V logic-level enhancement mode | — |
| Typical Applications | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting | — |
| Manufacturer | onsemi | onsemi (ON Semiconductor) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per onsemi product page) |
| Part Number | — | MMBF170LT1 |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 60 V |
| Drain-Gate Voltage (VDGS) | — | 60 Vdc |
| Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) | — | ±20 Vdc (per datasheet) |
| Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) | — | ±40 Vpk (tp <= 50 ms) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Total Device Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta, FR-5 board) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) |
| العلبة / الحالة | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes (per datasheet) |
| Polarity | — | N-Channel |