2N7002L vs MMBF170LT1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002L بذریعہ onsemi اور MMBF170LT1 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002L MMBF170LT1
برانڈ onsemi onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 500 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET DMOS
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23 (SOT-23-3) —
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi onsemi (ON Semiconductor)
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per onsemi product page)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
پیکیج / کیس — SOT-23-3 (TO-236)
پن کی تعداد — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Polarity — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں