AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4-75BCNTR بواسطة Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BIN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
العلامة التجارية Alliance Memory Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $7.90 —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
التنظيم 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
معدل البيانات 2666 Mbps per pin 2666 Mbps
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
الواجهة Parallel POD
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
العلبة 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
نطاق درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
حجم الذاكرة — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
جهد التغذية — 1.2 V
درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C
عدد الدبابيس — 96
الميزات — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر