AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN 比較

詳細並排比較 AS4C512M16D4-75BCNTR 由 Alliance Memory 與 AS4C512M16D4-75BIN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 啟用中
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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規格比較

參數 AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $7.90 —
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
組織 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
資料速率 2666 Mbps per pin 2666 Mbps
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns 15 ns
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
介面 Parallel POD
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
封裝 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
工作溫度範圍 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
記憶體容量 — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
供應電壓 — 1.2 V
工作溫度 — -40°C to +95°C
腳位數 — 96
功能特色 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

資料表與資源

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