BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC011N03LSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC12DN20NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC011N03LSTATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة NRND نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET OptiMOS power MOSFET
Configuration Single with built-in diode Single N-channel
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 200V
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
عدد الأطراف — 8

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر