BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC011N03LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC12DN20NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC011N03LSTATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস NRND সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET OptiMOS power MOSFET
Configuration Single with built-in diode Single N-channel
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 200V
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
পিন সংখ্যা — 8

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট