BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC011N03LSTATMA1 द्वारा Infineon और BSC12DN20NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC011N03LSTATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 72 nC | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS power MOSFET |
| Configuration | Single with built-in diode | Single N-channel |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| पिन काउंट | — | 8 |