BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC011N03LSTATMA1 توسط Infineon و BSC12DN20NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC011N03LSTATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر NRND فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET OptiMOS power MOSFET
Configuration Single with built-in diode Single N-channel
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 200V
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
تعداد پایه — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت