BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSTATMA1 מאת Infineon ו BSC12DN20NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC011N03LSTATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 39 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 72 nC —
Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Power Dissipation at TC=25C 115 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET OptiMOS power MOSFET
Configuration Single with built-in diode Single N-channel
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 200V
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
מספר פינים — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר