BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC014N04LSATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 25V (N-channel) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (per Infineon OptiMOS family) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (per channel) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 31 A (per channel, package-limited) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Primary Application | — | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators |