BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0921NDIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N04LSATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 25V (N-channel) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (per Infineon OptiMOS family) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (per channel) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 31 A (per channel, package-limited) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| Primary Application | — | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators |