BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0921NDIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014N04LSATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 25V (N-channel) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (per Infineon OptiMOS family) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (per channel) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 31 A (per channel, package-limited) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Primary Application | — | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators |