BSC015NE2LS5IATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC015NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC015NE2LS5IATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
العلبة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 8
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (trench MOSFET)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر