BSC015NE2LS5IATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC015NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC015NE2LS5IATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 8
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (trench MOSFET)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin