BSC015NE2LS5IATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC015NE2LS5IATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 ✓ सक्रिय
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ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC015NE2LS5IATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
पैकेज PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 8
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (trench MOSFET)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
पैकेज / केस — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

डेटाशीट और संसाधन

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