BSC015NE2LS5IATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC015NE2LS5IATMA1 bằng Infineon và ISC015N04NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC015NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC015NE2LS5IATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Hộp PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 8
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Hộp / Vỏ — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá