BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و IPB038N12N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC027N04LSGATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 120V |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | 83 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |