BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon و IPB038N12N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC027N04LSGATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 120V |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| اتلاف توان (TC=25°C) | 83 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| سطح MSL | 1 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |