BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve IPB038N12N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC027N04LSGATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 120V |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Paket / Kas | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |