BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC032N04LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC032N04LSATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 83 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C |
| مستوى MSL | — | 1 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |