BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC032N04LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC032N04LSATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 83 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C |
| MSL स्तर | — | 1 |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |