BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC032N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC027N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC032N04LSATMA1 BSC027N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 3 (Trench)
প্যাকেজ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +175°C —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 3
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) — 83 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +150°C
MSL লেভেল — 1
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট