BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC032N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC032N04LSATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 3 (Trench)
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 83 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
MSL لیول — 1
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں