BSC039N06NSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC039N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPB038N12N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC039N06NSATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | OptiMOS trench MOSFET |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |