BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC035N10NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC040N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC035N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC040N10NS5ATMA1 | BSC035N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 4 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 136 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Output Capacitance Reduction | Up to 44% vs previous generation | — |
| RDS(on) Reduction | Up to 43% vs previous generation | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC035N10NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 3.5 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 156 W |
| Configuration | — | Single N-channel MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible (10V VGS) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (T&R) |