BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC035N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC035N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC035N10NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 3.5 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 156 W
Configuration — Single N-channel MOSFET
Gate Drive — Logic-level compatible (10V VGS)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (T&R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin