BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC052N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC033N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench (OptiMOS 5) |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 136 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |