BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC033N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC052N08NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں