BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC052N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC033N08NS5SCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench (OptiMOS 5) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 136 W |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |